0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>

模拟技术

电子发烧友网为用户提供了专业的模拟技术文章和模拟电子技术应用资料等;是值得收藏和分享的模拟技术与电子技术栏目。

全国最大8英寸碳化硅衬底生产基地落地山东?

作为技术应用最成熟的衬底材料,碳化硅衬底在市场上“一片难求”。碳化硅功率器件在新能源汽车中的渗透率正在快速扩大,能显著提升续航能力与充电效率,并降低整车成本。...

2024-04-11 标签:新能源汽车功率器件碳化硅 121

基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块

基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块

BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块,...

2024-04-11 标签:MOSFET晶圆DCDC变换器充电桩碳化硅 390

如何使用两个单向电流检测放大器?怎样使用最高效?

如何使用两个单向电流检测放大器?怎样使用最高效?

越来越多的应用需要快速准确地进行电流监控,包括自动驾驶汽车、工厂自动化和机器人技术、通信、服务器电源管理、D 类音频放大器和医疗系统。...

2024-04-11 标签:运算放大器电流检测占空比脉宽调制电流检测放大器负载电阻 711

镓未来TOLL&TOLT封装氮化镓功率器件助力超高效率钛金能效技术平台

镓未来TOLL&TOLT封装氮化镓功率器件助力超高效率钛金能效技术平台

珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业,致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。...

2024-04-10 标签:半导体功率器件氮化镓LED驱动电源功率器件半导体氮化镓 449

光电三极管的特性及结构示意图

光电三极管的特性及结构示意图

光电三极管是一种半导体器件,能够感应光水平并根据其接收的光水平来改变在发射极和集电极之间流动的电流。顾名思义,光电三极管是一种晶体管,可以感应光并改变晶体管端子之间的电流...

2024-04-10 标签:场效应管MOS管晶体管半导体器件MOS管光电三极管半导体器件场效应管晶体管 338

关于光电三极管的简单介绍

关于光电三极管的简单介绍

光电三极管有塑封、金属封装、陶瓷、树脂等多种封装结构,引脚分为两脚型和三脚型。一般两个管脚的光电三极管,管脚分别为集电极和发射极,光窗口则为基极。...

2024-04-10 标签:三极管集电极光电三极管三极管光敏三极管光电三极管集电极 362

碳化硅(SiC)功率器件特性及应用

碳化硅(SiC)功率器件特性及应用

碳化硅是一种宽带隙半导体材料,相比于传统的硅材料,具有更高的热导率、更大的电场击穿强度和更高的载流子迁移率等特点。...

2024-04-10 标签:电动汽车功率器件SiC碳化硅SiC功率器件牵引逆变器电动汽车碳化硅 94

RX23E-A 24bit ΔΣADC基础篇(2)用于传感器测量的Δ∑ADC的特性

RX23E-A 24bit ΔΣADC基础篇(2)用于传感器测量的Δ∑ADC的特性

世界上有各种各样的传感器,除了ΔΣADC之外,还需要各种电路来测量这些传感器。当处理微小信号时,您可能需要在执行AD转换之前放大信号。...

2024-04-10 标签:传感器缓冲器adc数字滤波器偏置电压可编程增益放大器adcADC传感器偏置电压可编程增益放大器数字滤波器缓冲器 719

基于JEDEC栅电荷测试方法测量MOSFET的栅电荷

基于JEDEC栅电荷测试方法测量MOSFET的栅电荷

在栅极电荷方法中,将固定测试电流(Ig)引入MOS晶体管的栅极,并且测量的栅极源电压(Vgs)与流入栅极的电荷相对应。对漏极端子施加一个固定的电压偏置。...

2024-04-10 标签:MOSFET电源管理晶体管MOSMOSMOSFET晶体管栅极电荷电源管理 95

深入对比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

深入对比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺,来开发基于双极结型晶体管(BJT)、结栅场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的...

2024-04-10 标签:MOSFET场效应晶体管SiC碳化硅Qorvo 1084

碳化硅器件在车载充电机(OBC)中的性能优势

碳化硅器件在车载充电机(OBC)中的性能优势

碳化硅作为第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、抗辐射等优异性能采用碳化硅功率器件可使电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失降低20%,在OBC产品上使用碳化硅功率器件对于提升...

2024-04-10 标签:电动汽车功率器件碳化硅OBC车载充电器 102

深入探索芯片内部电路结构

深入探索芯片内部电路结构

SDA和SCL都是双向线路,都通过一个电流源或上拉电阻连接到正的电源电压。当总线空闲时,这两条线路都是高电平,连接到总线的器件输出级必须是漏极开路或集电极开路才能执行线与的功能。...

2024-04-10 标签:芯片振荡器场效应管电源电压MOS 49

PIN二极管的结构图和工作原理分析

PIN二极管的结构图和工作原理分析

PIN二极管的结构由P型半导体、Intrinsic半导体和N型半导体三层组成。Intrinsic半导体层是一层轻掺杂的半导体,因此可忽略自由载流子。...

2024-04-09 标签:PIN二极管光电二极管PINPIN二极管光电二极管功率二极管微波开关 480

雪崩光电二极管击穿原理图

雪崩光电二极管击穿原理图

雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。...

2024-04-09 标签:数据传输雪崩二极管光信号光电二极管 257

知识科普:一文看懂有源晶振和无源晶振的区别

知识科普:一文看懂有源晶振和无源晶振的区别

有源晶振因其优异的特性,广泛应用于卫星通信、航空航天、精密计测仪器等高科技行业。例如,手机导航模块一般采用有源晶振,因为GPS模块每时每刻与卫星交互产能大量热量,而温补晶振可...

2024-04-09 标签:有源晶振无源晶振晶振晶体振荡器扬兴科技 620

IGBT栅极驱动关键注意事项

IGBT栅极驱动关键注意事项

为了快速导通和关断 BJT,必须在每个方向上硬驱动栅极电流,以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时,会存在一个从双极型晶体管的基极到其发射极的低阻抗路径。...

2024-04-09 标签:MOSFET晶体管寄生电容MOSFET寄生电容晶体管栅极电阻栅极驱动 118

碳化硅功率器件的应用优势

碳化硅功率器件的应用优势

碳化硅具有比硅更高的热导率、更宽的能带宽度和更高的电子饱和漂移速度。这些特性使得SiC功率器件在高温、高频以及高电压应用中表现优异。...

2024-04-09 标签:功率器件SiC碳化硅 77

IGBT/三极管/MOS管这三种元器件之间有什么区别?

IGBT/三极管/MOS管这三种元器件之间有什么区别?

三极管的结构是给一块纯硅进行三层掺杂,其中较窄区域高浓度N型掺杂,含有大量自由电子,中间极窄区域普通浓度P型掺杂,含有少数空穴,上边较宽区域普通浓度N型掺杂,含有正常数量的电...

2024-04-09 标签:三极管MOS管发射机IGBT基极电流 770

如何利用LTspice轻松模拟工程电源与MEMS信号链设计

如何利用LTspice轻松模拟工程电源与MEMS信号链设计

一般的共享电源和数据接口经过编码,可减少信号直流成分,从而在发送交流信号成分时简化系统设计。但是,许多数字输出传感器接口(例如,SPI和I2C)尚未经过编码,具有可变的信号直流成...

2024-04-09 标签:传感器以太网mems功率器件LTspicemems以太网传感器功率器件 190

MOS管功能特性与实际应用场景解析

MOS管功能特性与实际应用场景解析

那这两张图是完全等价的,我们可以看到MOS管是有三个端口,也就是有三个引脚,分别是GATE、DRAIN和SOURCE。至于为啥这么叫并不重要,只要记住他们分别简称G、D、S就可以。...

2024-04-09 标签:MOS管NMOSPWM场效晶体管 123

如何看懂MOSFET数据表常见的数据

如何看懂MOSFET数据表常见的数据

Qrr 甚至可以对测试执行性的二极管正向电流 (If) 具有更强的依赖关系。而进一步使事情复杂化的原因在于,某些厂商未将QOSS 作为一个单独参数包含在内,而是只将这个参数吸收到Qrr 的技术规...

2024-04-09 标签:MOSFET电感器MOSFET电感器脉冲电流 128

Σ-Δ模数转换器(ADC)技术一览

Σ-Δ模数转换器(ADC)技术一览

摘要 Σ-Δ模数转换器是从脉宽调制器类积分型ADC演变而来的,其模拟部分相对容易实现、数字部分则比较灵活。随着技术的发展,Σ-ΔADC基本原理已结合不同量化器形成了有意义的变种。本应用...

2024-04-09 标签:模数转换器 164

深入解析MOS管的判别与导通条件

深入解析MOS管的判别与导通条件

使用二级管,导通时会有压降,会损失一些电压。而使用MOS管做隔离,在正向导通时,在控制极加合适的电压,可以让MOS管饱和导通,这样通过电流时几乎不产生压降。...

2024-04-08 标签:二极管MOS管适配器电压寄生二极管 96

RX23E-A中的24位ΔΣADC转换器和模拟前端介绍

RX23E-A中的24位ΔΣADC转换器和模拟前端介绍

RX23E-A MCU是32位RX MCU,具有内置FPU和高达256KB闪存,配有模拟前端(AFE),有助于测量压力、流量、温度和重量,精度小于0.1%。...

2024-04-08 标签:模数转换器温度控制器模拟前端ADC转换器FFT模拟前端模数转换器温度控制器 479

基于FPGA的TLC5620数模转换(DA)设计

基于FPGA的TLC5620数模转换(DA)设计

本设计采用串行数/模转换芯片TLC5620,TLC5620是一个拥有四路输出的数/模转换器,时钟频率最大可达到1MHz。...

2024-04-08 标签:FPGA运算放大器FPGA基准电源数模转换数模转换器运算放大器 195

探究50V μF级MLCC电容在24V/28V工况下短路的原因

探究50V μF级MLCC电容在24V/28V工况下短路的原因

大容值的MLCC电容,耐电压击穿电压波动能力其实是比较弱的,再加之电容生产过程的陶瓷介质片的厚度一致性难控制问题,电压波动、上电浪涌电压等场合下,MLCC电容被击穿也就在所难免了。...

2024-04-08 标签:电容MLCCMLCC电容钽电解电容 98

一文详解IGBT 模块的热设计和热管理

一文详解IGBT 模块的热设计和热管理

其中模块的铝键合引线与芯片的键合点较小,芯片工作中产生的热量主要通过热传导的方式由芯片向基板单向传递,在此过程中会遇到一定的阻力,称为导热热阻。...

2024-04-07 标签:芯片IGBT热管理半导体器件IGBT半导体器件热管理热设计芯片 467

1500V光伏逆变器中的ANPC技术应用

1500V光伏逆变器中的ANPC技术应用

在标准NPC的基础上,把钳位二极管换成主开关管,就形成了ANPC,用于解决NPC损耗分布不均带来的热不均 根据不同的发波方式,开关管的电流会有所不同,以下分别讨论...

2024-04-07 标签:逆变器开关管光伏逆变器钳位二极管ANPC光伏逆变器开关管逆变器钳位二极管 89

基于TL431芯片搭建的恒流源电路

基于TL431芯片搭建的恒流源电路

而根据上式计算结果输出电流应该是I = 2.495V / 2Ω = 1.2475A。但实际计算结果却小于该值,这是为什么呢?分析一下可知,流过电阻Rref的电流除了三极管的集电极电流Ic还有基极电流Ib。...

2024-04-07 标签:三极管运放电路TL431三极管恒流源恒流源电路运放电路 392

全面的SiC功率器件行业概览

全面的SiC功率器件行业概览

SiC功率器件市场正处于快速增长阶段,特别是在汽车电动化趋势的推动下,其市场规模预计将持续扩大。 根据Yole Group的报告,汽车行业对SiC功率器件的需求主要来自于电动汽车动力系统的升...

2024-04-07 标签:新能源汽车晶圆功率器件SiC碳化硅 78

编辑推荐厂商产品技术软件/工具OS/语言教程专题