模拟技术
电子发烧友网为用户提供了专业的模拟技术文章和模拟电子技术应用资料等;是值得收藏和分享的模拟技术与电子技术栏目。航晶公司两线制/三线制电流环发送器系列优势分析
HJU105A/B是一款两线制设计类型的电流环变送器,可以配套应用于航晶公司自主研发设计的电压输出可编程传感器调节器HJ309A以能够将硅压阻桥或溅射薄膜式压力传感器进行信号采集。...
2023-05-25 1055
安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件
智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。...
2023-05-25 282
大族半导体SiC晶圆激光切割整套解决方案
改质切割是一种将半导体晶圆分离成单个芯片或晶粒的激光技术。该过程是使用精密激光束在晶圆内部形成改质层,使晶圆可以通过轻微外力沿激光扫描路径精确分离。...
2023-05-25 869
高速模数转换器SC1083芯片概述
SC1083采用3V±10%和5V±10%单电源供电,在高速转换的同时,依然能够保持低功耗。SC1083采用20引脚超薄紧缩小型封装(TSSOP),利用该并行接口,可方便地与微处理器和DSP进行接口。...
2023-05-25 344
基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展
近期,美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)器件。...
2023-05-25 683
碳化硅MOSFET助力新能源汽车实现更出色的能源效率和应用可靠性
碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。...
2023-05-25 473
参考设计:适用于半桥结构的隔离式IGBT栅极驱动Flybuck电源
本参考设计采用 Flybuck 变换器为 IGBT 栅极驱动器提供正负电压轨。Flybuck 变换器可等效于降压变换器和类似反激变换器二次侧的组合,采用同步 Buck 芯片实现电路控制,并使用变压器绕组来取代...
2023-05-25 4102
汽车LVDS接口瞬态浪涌静电保护方案
LVDS(英文全称:Low-Voltage Differential Signaling),中文叫:低电压差分信号,是一种低功耗、低误码率、低串扰和低辐射的差分信号技术,被广泛应用于串行高速数据通讯场合。...
2023-05-25 196
GaN中 (C_N) 缺陷的非辐射俘获系数计算(上)
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算模拟软件包,该软件包能针对输入的半导体晶体结构...
2023-05-25 608
提升LDO性能实现低功耗精密电压输出
电子发烧友网报道(文/李宁远)电流环路,自20世纪50年代开始,就已经成为过程控制系统中信号传输和电子控制的标准。很多电流环路的电源是通过LDO来提供的,这是一种简单而又经济的方法...
2023-05-25 2225
开关电源调试时常见的十种问题及解决办法
在高压或低压输入下开机(包含轻载,重载,容性负载),输出短路,动态负载,高温等情况下,通过变压器(和开关管)的电流呈非线性增长...
2023-05-25 1236
设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数
在这篇文章中,我们将讨论设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数。我们还分析了双极结型晶体管(BJT)和MOSFET特性之间的差异,并了解了为什么MOSFET更适合功率放大器应用并使其更有...
2023-05-24 2170
限幅二极管电路原理图解
用来做限幅用的二极管称为限幅二极管。所谓限幅,就是将信号的幅值限制在所需要的范围之内。由于通常所需要限幅的电路多为高频脉冲电路、高频载波电路、中高频信号放大电路、高频调制...
2023-05-24 1487
51单片机编程开发之点亮数码管
今天我们先来了解一种新的元器件--数码管。数电教材中一般将他和译码一起讲解。它是一种显示器件,现在我们来看看它是一个什么样的东西。...
2023-05-24 1343
FPGA上的跳频无线电与数字视频缩放
列表中的第一个 FPGA 项目是一个标准扩频系统,属于“direct sequence”或“frequency hopping”类型,或者是这两种“混合”类型的某种组合。...
2023-05-24 519
什么是碳化硅半导体
硅(Si)是电子产品中常用的纯半导体的一个例子。锗(Ge)是另一种纯半导体,用于一些最早的电子设备。半导体也由化合物制成,包括砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN)、硅锗 (SiGe) 和碳化...
2023-05-24 1726
碳化硅MOSFET相对于IGBT的优势
IGBT(绝缘栅双极晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)用于许多不同类型的电源应用,包括可再生能源、航空航天、汽车和运输、测试和测量以及电信。在设计阶段,这些广泛使...
2023-05-24 1223
肖特基二极管特性和应用
肖特基二极管因其低导通电压、快速恢复时间和更高频率下的低损耗能量而得到广泛应用。这些特性使肖特基二极管能够通过促进从导通状态到阻塞状态的快速转换来整流电流。因此,肖特基二...
2023-05-24 1189
碳化硅的极端耐用性
碳化硅(SiC)是一种陶瓷材料,出于半导体应用的目的,通常以单晶形式生长。其固有的材料特性,加上作为单晶生长,使其成为市场上最耐用的半导体材料之一。这种耐用性远远超出了其电气...
2023-05-24 788
碳化硅的独特性能和应用
SiC,也称为碳化硅,是硅和碳化物在晶体结构中的组合,大约有250种不同的晶体形式可以找到SiC。碳化硅可以采取许多不同的形式:单个SiC晶粒可以烧结在一起形成坚固的陶瓷;SiC纤维可以添加...
2023-05-24 1565
飞虹半导体单相组串式光伏逆变器的应用
FHA75T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT,使用Trench Field stop technology 和通过优化工艺,来获得极低的 VCEsat 饱和压降,并在导通损耗和关断损耗(Eoff)之间做出来良好的权衡。...
2023-05-24 108
碳化硅肖特基二极管的基本原理
在典型的二极管中,p-n结由p型和n型半导体组合而成。然而,肖特基二极管是不同的:使用金属代替p型半导体。然后,你有一个被称为肖特基势垒的m-s结,而不是p-n结(这是这些二极管得名的地...
2023-05-24 512
碳化硅MOSFET与Si MOSFET的比较
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种场效应晶体管,这意味着它通过使用电场来控制电流。MOSFET 通常有三个端子:栅极、漏极和源极。漏极和源极之间传导的电流通过施加到栅极的...
2023-05-24 748
碳化硅宽带隙的重要性
宽带隙半导体材料(如SiC)与更传统的半导体材料(如Si)相比具有许多优势。考虑带隙随着温度升高而缩小的事实:如果我们从宽带隙开始,那么温度升高对功能的影响要小得多。由于SiC具有...
2023-05-24 1010
氮化镓晶体管的优势
当今市场上有许多晶体管选择,它们将各种技术与不同的半导体材料相结合。因此,缩小哪一个最适合特定设计的范围可能会令人困惑。在这些选择中,GaN晶体管是,但是什么使它们与众不同呢...
2023-05-24 677
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