模拟技术
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零碳时代，碳化硅器件的机遇与挑战
5月25日，由行家说举办的汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会在上海成功举办，英飞凌零碳工业功率事业部高级经理张明丹应邀参加了大会主题演讲。...
2023-06-06 106
运放输入失调电压(Vos)和温漂(ΔVos/ΔT)
输入失调电压（Vos）和温漂(ΔVos/ΔT)是运放直流参数中比较重要的参数，本文主要介绍运放的失调电压和温漂，帮助工程师快速理解。...
2023-06-06 699
一个传导、辐射处理案例-Layout环路
这是一款输入宽电压120-277V 60HZ，输出48V，273mA的电源，使用美芯晟MT7933，采用Buck拓扑结构。...
2023-06-06 229
三极管做开关的常用电路画法
蜂鸣器是我们在电路设计中使用的最常见的一种预警发声器件，我们常使三极管的工作于开关状态来驱动它。然而越简单的电路，很多人在设计时往往越容易忽略细节，导致实际电路中蜂鸣器不...
2023-06-05 2277
单片机是怎么知道要执行什么指令？做什么动作呢？
单片机是将中央处理单元（CPU）、储存器、输入输出集成在一片芯片上，可以说单片机就是一台微型计算机，只是和我们平常使用的计算机相比它的功能有所不同，也没有我们用的计算机那样强...
2023-06-05 795
功率MOSFET基本结构：平面结构
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简...
2023-06-05 742
超越期望，引领控制革新——ASDM65N18S功率MOSFET
引言： 在现代高效能系统中，功率MOSFET扮演着至关重要的角色，它们是实现低功耗、高效率和精确控制的关键元件。为满足不断发展的市场需求，我们推出了全新的ASDM65N18S功率MOSFET，它以卓越...
2023-06-05 463
ST未来3年制造战略揭秘
自去年下半年以来，全球半导体因为需求端持续低迷而进入下行通道，到目前为止，这样的趋势仍未改变，在这样的形势下，很多公司选择停止扩张，收缩抗寒 ，不过也有一些公司选择在未来...
2023-06-05 629
浅谈光耦合器OLH1249晶体管
OLH1249晶体管输出光耦合器专为高可靠性应用而设计，这些应用需要在具有高CTR和低饱和VCE的伽马、中子和质子辐射等辐射环境中进行光学隔离。...
2023-06-05 281
浅谈MOS管损坏之谜
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。...
2023-06-05 325
浅谈数字光电耦合器主要参数
数字光电耦合器（Digital Optocoupler）是一种电气和光学隔离器件，用于将数字信号传输和隔离。它通常由光电二极管和光敏晶体管组成。...
2023-06-05 444
光电耦合器好坏检测的步骤介绍
使用万用表或示波器等测试设备，检查光电耦合器的电气特性。测量输入和输出端之间的电阻值、电流和电压。确保输入和输出之间没有短路、断路或异常阻抗。...
2023-06-05 925
SiC MOSFET模块串扰问题及应用对策
针对SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题，文章首先对3种测量差分探头的参数和测 量波形进行对比，有效减小测量误差；然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向峰值过大...
2023-06-05 2212
浅谈OLF100晶体管和OLC249光电耦合器芯片的应用
OLF100晶体管输出光耦合器主要是由一个发光二极管组成，并且该发光二极管与安装在8针密封表面安装扁平封装中的NPN硅光电晶体管光学耦合。...
2023-06-05 265
如何对SPI总线接口进行ESD静电放电保护？
串行外设接口（Serial Peripheral Interface），简称SPI接口，是一种高速、全双工、同步的通信总线接口，可以使单片机与各种外围设备以串行方式进行通信以交换信息。...
2023-06-05 901
功率密度提升80%的服务器电源供应器是如何打造的？
随着数据中心持续为网络搜索、视频通话和信息存储等服务提供支持，处理能力需要变得更快、更强大，电力需求也随之增长。在不增加体积或影响系统效率的情况下，如何为服务器提供更多电...
2023-06-05 299
设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数
我们将讨论设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数，还分析了双极结型晶体管（BJT）和MOSFET特性之间的差异，并了解了为什么MOSFET更适合功率放大器应用并使其更有效。...
2023-06-05 849
关于功率MOS管烧毁的原因总结
MOS 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导体材料由于高温而分解）。...
2023-06-11 488
干货|这篇文章把MOS管的基础知识讲透了
MOS管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明MOS管是为了克服FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。所以MOS管可以称为FET的高级形式。...
2023-06-05 1039
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