近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:11
1115 通讯应用使用基于半桥、全桥或同步降压功率拓扑的电源模块。这些拓扑使用高性能半桥驱动器实现高频操作和高效率。半桥栅极驱动器采用的技术已在业界成功应用了数十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
开关频率（高达 100kHz）支持以最低的电流纹波驱动低电感电机带有集成型栅极驱动器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可减小 PCB 外形尺寸并降低布局复杂度极速开关转换（小于
2018-10-31 17:33:14
国际整流器公司推出坚固型600 V三相栅极驱动器IC，主要应用于包括永磁电机驱动的家电、工业驱动、微型变频器驱动和电动汽车驱动等在内的高、中和低压电机驱动应用。
2016-06-21 18:20:36
IR21094采用14脚封装。驱动级工作电压600V，栅极驱动电压10-20V，前级最高工作电压25V。
2021-04-14 08:05:22
IR2109采用8脚封装。驱动级工作电压600V，栅极驱动电压10-20V，前级最高工作电压25V。
2021-04-16 06:12:23
准备用IR2153设计一个静电发生器 基本原理图如下IR2153组成一个半桥逆变电路来驱动高压包原边，高压包幅边接倍压整流电路将电压放大到目标电压 图中HV是高压包的原边的输入电压，由工频变压器整流
2019-04-08 11:56:28
的最终驱动强度。该缓冲器可集成在隔离器封装内，也可部署在封装外。高压电平转换器使用上拉结构将时序数据传送至高端，可处理高达几百V的电压。如果半桥电压发生负振铃，则高压电平转换器可能会闩锁，而数字隔离器或
2018-10-16 13:52:11
启动波形异常，电压升高时MOS管损坏，另外我把ST900V的管子（即800V板子所用的管子）用在1200的板子上，也可以跑到800V时，换成1500V的管子600V都跑不上去，这是最不能理解的。两桥臂
2022-01-14 17:28:17
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
如果控制侧涉及到人的活动，那么高功率侧和低电压控制电路之间需要电流隔离。它能防范高压侧的任何故障，因为尽管有元件损坏或失效，隔离栅仍会阻止电力到达用户。图6.采用ADuM4121隔离式栅极驱动器的半桥
2021-07-09 07:00:00
产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。然而，快速开关同时隐含着高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，需要为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还需要执行提供
2021-11-11 07:00:00
值得一看的高压栅极驱动器IC
2016-06-22 18:23:20
CK5G14 在同一颗芯片中同时集成了三个 250V 半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥
2022-01-04 14:16:57
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
电路、休眠模式、故障报告和一个比较器。单电源支持广泛的8-V至60-V范围，使其非常适合电机驱动应用。 功能框图 特性描述 输出级 DRV8313包含三个半桥驱动程序。所有三个半
2020-07-10 14:23:52
1. 特性 双管正激电源 600V 高压驱动 高端悬浮自举电源设计 HIN、LIN 适应 0-20V 输入电压 小于 1uA 静态电流 最高频率支持 500KHZ 低端 VCC 电压范围
2022-09-09 16:21:19
及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。EG2106 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个
2022-09-13 13:22:59
FAN73832 是一款半桥、栅极驱动 IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +600 V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款单片半桥栅极驱动 IC，设计用于高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +1200 V。 HIN 的先进输入滤波器针对噪声产生的短脉冲输入信号提供保护功能
2021-12-20 09:19:25
能力和最低交叉传导。Fairchild 的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15 V 时高达 VS
2022-01-18 10:43:31
对这些寄生效应进行优化可以减少该问题，并且以高于100V/ns的高压摆率实现出色的开关性能。图1. 由独立封装内的驱动器驱动的GaN器件 (a)；一个集成GaN/驱动器封装 (b)。图2.用于仿真的半桥
2018-08-30 15:28:30
概述：IR2111是International Rectifier公司生产的一款半桥驱动器，它为双列直插或贴片8脚封装。驱动电压10-20V，电流（IO+/-）200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下，可提供200mA/300mA的驱动电流。它有三个互相独立的高边和低边输出通路以及全保护功能。此外还有一个用于PFC 或 Brake IGBT驱动的低边驱动器
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保护式600V三相栅极驱动器
2016-06-21 18:26:25
/小型及通用变频器等电机驱动应用的单相高压IC (HVIC) 系列 IRS260xD。 IRS260xD系列高速功率MOSFET和IGBT驱动器可以10V 至20V的栅极驱动电源电压提供可选的依赖或
2008-11-13 20:40:15
■ 产品概述LN4318 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的 250V高压三相栅极驱动器，具有三路独立的高低边输出，可以用来驱动半桥电路中的高压大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4318
2021-06-30 10:07:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封装形式，给方案设计带来更多的选择。半桥/全桥转换器同步降压、升降压拓扑电子烟、无线充 MOSFET 驱动器电源电压工作范围为 4.5V
2022-01-12 13:39:25
，MP18851可为各种电源应用提供高效率、高功率密度和稳健的解决方案。MP18851将双通道栅极驱动器集成在一个封装中。每个输出都可以分别接地或连接至正负参考电压。副边拓扑可配置为由两个独立输入信号控制的半桥高
2022-09-30 13:47:21
确保高压侧电源开关的正确驱动。驱动器使用2个独立输入。特性：高压范围：高达600 VdV/dt抗扰度±50 V/nsec栅极驱动电源范围为10 V至20 V高和低驱动输出输出源/汇电流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
的控制。这允许进行高压侧、低压侧和H桥控制。H桥控制提供正向、反向、制动和高阻抗状态。驱动器通过逻辑电平输入进行控制。特性：•睡眠模式下的超低静态电流•电源电压低至5 V•2个高压侧和2个低压侧驱动器
2021-12-20 14:28:27
NCP13992 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要
2022-03-03 10:36:13
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性：欠压锁定，电压高达600V耐负瞬态电压，dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
` SLM2104S 600V IGBT/MOS管半驱动动IC 封装SOP8 IR2104S* VOFFSET 600 V max.* IO+/- 130 mA/270 mA* VOUT 10 V
2018-09-07 15:03:06
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
的传播延迟，因而不能像数字隔离器一样实现通道间时序特性的匹配。另外，在单个IC封装中同时集成栅极驱动器和隔离机制可以最大限度地减小解决方案的尺寸。共模瞬变抗扰度在针对高压电源的许多半桥栅极驱动器应用中
2018-07-03 16:33:25
上。这种电隔离可以通过集成高压微变压器或电容器来实现。1, 2, 3 一次意外的系统故障均可导致功率开关甚至整个功率逆变器损坏和爆炸。因此，需要针对高功率密度逆变器研究如何安全实施栅级驱动器的隔离功能。必须测试和验证最坏情况下（功率开关被毁坏）隔离栅的可靠性。
2021-01-22 06:45:02
/dt 下的有源米勒钳位的有效性以及 IGBT 栅极驱动器的源自可调速电气电力驱动系统 (IEC61800-3) 的系统级 ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad
2018-12-27 11:41:40
`IRS2093设计用于50W至150W的高性能D类音频应用，包括家庭影院系统和汽车音频放大器。IRS2093采用半桥拓扑结构，在单颗 IC中集成了具有PWM调制器的四通道高压高性能D类音频放大
2011-03-05 21:49:31
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级（驱动强度不足）以及系统级均会带来挑战：难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式
2018-12-07 14:05:13
电平转换所需要的电荷（对于600V的半桥驱动器，该参数通常为5nC） 系统可靠性设计 由于直流电机是感性负载，因此当Q1关断时，负载的电流不能突变，会转换到由Q2的续流二极管进行续流。由于在Q2的源
2018-09-27 15:06:25
来设置单极或双极 PWM 栅极驱动器延迟时间短，上升和下降时间短提供用于驱动半桥的信号和电源反激式恒定导通时间，无需环路补偿可以在 24V±20% 范围内宽松调节输入此电路设计经过测试并包含测试结果
2018-12-21 11:39:19
现在需要一反向耐压值为600V，电流为3A的整流桥作为开关电源的整流器，但是，这个高压整流桥的压降大，这样引起的功耗就大，由于对开关电源的效率有要求，请问有什么办法可以降低整流桥的功耗吗？或者，有低压降的高压整流桥推荐吗？
2014-05-13 19:53:40
阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器(如图1所示)以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
集成电路，具有更高的效率。高压栅极驱动器集成电路(图1)会增加电平转换电路中的传播延迟，因而不能像数字隔离器一样实现通道间时序特性的匹配。在数字隔离器中集成栅极驱动器，可使解决方案的尺寸降至单封装级，从而
2018-10-16 16:00:23
展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图1所示）以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，由此来控制
2018-09-26 09:57:10
软启动保护和掉电保护 带高压线电压保护 600V 轨兼容的高侧栅极驱动器 -0.3A/0.8A 高侧和低侧门极驱动 封装形式：SOP16L2. 描述EG6599 是一款专用于谐振半桥拓扑结构的双端
2022-09-15 13:50:21
FD6288T&Q 是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动 MOSFET 设计，可在高达+250V 电压下工作。FD6288T&Q 内置 VCC/VBS
2021-06-30 11:48:09
/ dt共模瞬变干扰能力，使其能够防止耗能的杂散开关操作。这些器件内置1700V电气隔离功能，可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉
2018-08-06 14:37:25
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高压端和低压端栅极驱动以及两个功率MOSFET的LLC半桥功率级。图1（上）所示为采用HiperLCS器件的功率级结构简图，其中LLC谐振电感集成在变压器中
2019-03-07 14:39:44
。其在120V / ns转换速率下，从0V升到480V，并具有小于50V的过冲。 图1：TI 600V半桥功率级——开关波形（a）；设备封装（b）；半桥板图（c）。 GaN FET具有低端子电容，因而
2019-08-26 04:45:13
FAN7382MX 是一款单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
栅极驱动器解决方案TI提供专为电动座椅设计的多电机汽车栅极驱动器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半桥栅极驱动器分别具有四个通道和八个通道。它们集成了电荷泵、电流检测放大器和可用于多个负载
2022-11-03 07:05:16
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
2021-09-14 07:29:33
各位大大，最近在做双向逆变，想问一下用2变比的高频变压器，高压侧600V降压到300v，升压的时候可以从300V升压超过600V吗，有人说高频变压器可以升压超过原来高压侧输入的电压，请问有懂这个的能说一下能实现升压超过2变比的吗
2018-03-17 15:26:54
和填充的设计，包括一个基于600V IGBT SLLIMM（小型低损耗智能模塑模块）的三相逆变桥，采用SDIP 38L封装，安装在散热器上。 STGIPL14K60集成了：高压，短路坚固的IGBT和高压栅极驱动器，具有集成运算放大器等先进功能，适用于高级电流检测
2020-05-29 16:34:29
L6390，用于工业应用的高压半桥栅极驱动器。三相功率级三L6390半桥栅极驱动器之一的应用电路
2019-07-08 12:28:25
Portfolio系统，跨越12v 到80v 的范围往往需要一个司机与较高的供应额定值，支持高功率18v 钻头和80v 割草机。虽然选择合适的集成三相无刷直流电机驱动器是有限的，一套有能力的100伏半桥可以
2022-04-14 14:43:07
驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半桥驱动器的套路吗？最近看电瓶车控制器里的驱动模块没有类似半桥驱动器的芯片，应该是自己搭建的，网上看了看也没有类似的东西，来请教一下
2017-01-14 18:03:50
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计？
2021-06-17 06:45:48
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
双通道栅极驱动器无重叠保护MP18871脉宽调制 (PWM) 输入半桥栅极驱动器重叠保护、可调死区时间MP18831MP18831 在单个封装中集成了双输入栅极驱动器，并具有可调死区时间。 当两个输入同时
2022-09-30 14:05:41
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
通道的器件，此规格的表述方式相同，但被称为通道间偏斜。传播延迟偏斜通常不能在控制电路中予以补偿。图6显示了ADuM4121栅极驱动器的典型设置，其结合功率MOSFET使用，采用半桥配置，适合电源和电机
2018-10-25 10:22:56
6显示了ADuM4121栅极驱动器的典型设置，其结合功率MOSFET使用，采用半桥配置，适合电源和电机驱动应用。在这种设置中，如果Q1和Q2同时导通，有可能因为电源和接地引脚短路而发生直通。这可
2018-11-01 11:35:35
，低侧FET导通并开始通过其通道导通。相同的原理适用于通常在DC / DC电源和电动机驱动设计中发现的其它同步半桥配置。负责高速接通的一个重要的栅极驱动器参数是导通传播延迟。这是在栅极驱动器的输入端
2019-03-08 06:45:10
4-A、600V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
4-A、600V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-20 15:04:53
TF2183(4)M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道
2023-02-27 17:04:43
高压浮动MOS栅极驱动集成电路(应用手册):高压侧器件的栅极驱动要求,典型MOS栅极驱动器(MGD)的框图,自举工作原理，如何选择自举元件等内容。
2010-01-04 17:17:57
87 TF2184是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和igbt。TF半导体的高压过程使TF2184的高侧能够在引导
2023-06-25 16:25:20
TF2103M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2103M高侧切换到600V的引导操作
2023-06-25 16:39:30
TF2104M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高压过程使TF2104M的高侧能够在引导操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF21844M是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21844M的高侧能够在引导操作中切换到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2304M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高压过程使TF2304M的高侧能够在引导操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF2136M是一种三相栅极驱动器IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF2136M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF21364M是一种三相栅极驱动器IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF21364M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:59:30
深圳市三佛科技有限公司供应SA2601矽塔科技600V单相半桥栅极驱动芯片SOP8，原装现货 半桥栅极动心片.半桥栅极驱动芯片是一种用于驱动半桥功率器件(例如电力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC
美国国际整流器公司（IR）上市了+600V耐压的车载设备用栅极驱动IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相栅极驱动器IC，适用于电动汽车和混合动力汽车中的车用高压电机驱动应用。
2011-10-21 09:45:211669 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 高压Gatedriver 600V工艺，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高压Gatedriver 600V工艺，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 三相驱动器（如三相600V单芯片栅极驱动器STDRIVE601）的易用性、可用性和经济性是这一发展的主要原因所在。STDRIVE601具有稳健性、简单性和节省成本的特点，同时可确保系统受保护并提供安全功能。
2020-12-24 17:51:54694 关于高压栅极驱动器自举电路设计方法介绍。
2021-06-19 10:14:0476 图1所示电路显示了一个电路，其中低压微控制器与高压域（包括输出开关及其栅极驱动器）电气隔离（出于安全原因）。更快的开关速度意味着更快的开关瞬变。例如，GaN功率系统的开关时间通常为5ns（比传统
2023-06-28 14:33:33276 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 EG8025 是一款采用电流模式、中心对齐 PWM 调制方式和内置两路 600V 半桥高压 MOS 驱动器等一体的数模结合芯片,专用于逆变器产品。该芯片采用 CMOS 工艺，内部的主要模块为
2023-09-17 12:04:51
LP9961 是一款带有高压半桥驱动的全集成 LLC 控 制器。内部实现了 600V 的高压栅极驱动，使得可 以采用极简的外围元件，就可以实现高效、可靠的 LLC 谐振系统。自适应的死区时间控制可以
2023-10-10 11:37:12
电子发烧友App
工商网监
评论