宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管,为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2071是面向要求高功率密度的应用的理想器件,包括用于新型服务器
2022-05-17 17:51:112990 宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管,为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2066的低损耗和小尺寸使其成为用于最新服务器和人工智能的高功率密度
2022-06-01 10:22:412953 总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能
2012-02-02 11:55:2020788 场效应晶体管的源极、漏极和栅极分别相当于晶体管的发射极、集电极和基极。对应于晶体管放大电路,场效应晶体管放大电路也有三种组态:共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路,其特点分别和晶体管放大电路中的共射极、共集电极、共基极放大电路类似。
2022-11-30 09:30:002409 在半导体器件的讲解中,场效应晶体管应该说最值得拿来详细介绍一番的。
2023-09-28 09:31:04947 继电器通过通断线圈产生磁场来控制机械开关,实现对电路的控制。而场效应晶体管(MOS管)是一种基于半导体材料工作的场效应晶体管,通过栅极施加正负偏压来控制漏极与源极之间的通断状态。
2024-02-18 10:16:41558 宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商,致力提高产品性能且降低可发货的氮化镓晶体管的成本,最新推出EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化镓场效应晶体管
2020-11-13 08:01:001316 `功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,属于电压控制性半导体器件,具有输入电阻高,噪声小,功耗低,没有
2012-08-03 21:44:34
场效应晶体管的K值得问题:在研究学习杨建国老师的负反馈和运算放大器基础这本书的时候,发现有一道题的一个参数不知道什么意思,请大咖们帮忙解惑...Page65 : K=0.0502A/V*V 这个参数是什么意思呢?多谢!~
2019-04-04 11:47:20
(1)场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似,图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管
2019-03-28 11:37:20
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管
2018-03-17 14:19:05
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2011-12-19 16:30:31
`一、场效应晶体管特点场效应晶体管是电压控制元件,因此和普通双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点,这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异
2019-03-25 16:16:06
并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给场效应晶体管的驱动电压是不稳定的。为了让场效应晶体管在高gate电压下安全,很多场效应晶体管内置了稳压管强行限制gate
2019-04-16 11:22:48
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管
2019-06-18 04:21:57
场效应晶体管(英语:field-effecttransistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性
2019-05-08 09:26:37
`场效应晶体管在运用时除了留意不要使主要参数超越允许值外,对于绝缘栅型场效应晶体管还应特别留意由于感应电压过高而形成的击穿因素。场效应晶体管在运用时应留意以下几点:1、场效应晶体管在运用时要留意
2019-03-22 11:43:43
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路,可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路,可选用功率
2021-05-13 07:10:20
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流电源电路设计.doc第15章_基本放大电路.ppt基于较大功率的直流电机H桥驱动电路方案.doc详细讲解MOSFET管驱动电路.doc场效应晶体管的几点使用知识.doc全系列场效应管
2019-08-11 22:46:35
材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结
2009-04-25 15:38:10
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势,高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
向各位大神求助,我想仿真“用石墨烯代替硅制作的场效应晶体管的特性测量”。电路和普通的测量场效应晶体管特性的电路基本一样,只是需要能够调整晶体管的迁移率等特性,想问下LABVIEW能实现这种仿真吗?我在库里没找到晶体管,能帮忙指出在哪可以找到吗?谢谢!实在是太菜鸟了,请见谅。能建立下图这种电路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS场效应晶体管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 编辑
MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 07:46:37
的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有加强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型;P沟耗尽型和加强型四大类。见下图。
2018-10-29 22:20:31
`电子元器件行业有今天的成就,那绝离不开MOS管与场效应晶体管的鼎力相助,但是一些刚入电子行业的常常把MOS管与场效应晶体管混为一谈,到底MOS管和场效应晶体管两者背后到底有何联系?这对于初学者来说
2019-04-15 12:04:44
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的缩写,也叫场效应管,是一种由运算器的基础构成
2023-03-08 14:13:33
在本文中,我们将探讨 MOSFET 和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变。我们还看到 3D 配置如何允许每个集成电路使用更多晶体管。 平面与三维 (3D) 平面MOSFET(图1)在Lg
2023-02-24 15:20:59
MOS_场效应晶体管
2012-08-20 08:21:29
在隔离型DC/DC转换器设计,氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)具有低传导损耗、低开关损耗、低驱动功率及低电感等优点,可以实现更高功率密度、在高频时更大电流及高效以及在谐振设计的占空比更高,从而
2019-04-04 06:20:39
`在电子元件行业,晶体三极管与场效应晶体管都是备受推崇的两种电子元件,尤其在开关电源方面备受电子工程师的青睐,可是对于刚入门的采购,究竟该如何去选晶体三极管与场效应晶体管,晶体三极管简称三极管
2019-04-09 11:37:36
。这是一项极限参数,加在场效应晶体管上的工作电压必需小于BUDS。(6)耗散功率耗散功率PDSM也是—项极限参数,是指场效应晶体管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。运用时场效应晶体管实践功耗应小于
2019-04-04 10:59:27
和功率晶体管的强大竞争者,只允许从信号源取较少电流的情况下应优先选用场效晶体应管。三、三极管与场效应晶体管区别特征:1、三极管之所以又被称为双极型管子,是因为管子在工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与
2019-04-08 13:46:25
。 为什么使用鳍式场效应晶体管器件代替MOSFET? 选择鳍式场效应晶体管器件而不是传统的MOSFET有多种原因。提高计算能力意味着增加计算密度。需要更多的晶体管来实现这一点,这导致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
场效应晶体管在芯片中的作用讲起:开关电源芯片就是利用电子开关器件如晶体管、场效应晶体管、闸流管等,通过控制电路,使电子开关器件不停地“接通”和“关断”,让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制,维持稳定输出电压
2019-04-01 11:54:28
)。2. 场效应晶体管的隔离作用场效应晶体管实现电压隔离的作用是另外一个非常重要且常见的功能,隔离的重要性在于:担心前一极的电流漏到后面的电路中,对电路系统的上电时序,处理器或逻辑器件的工作造成误判,最终
2019-03-29 12:02:16
如何挑选出好的场效应晶体管?晶体三极管选用技巧有哪些?
2021-06-18 06:50:42
`我们常接触到场效应管,对它的运用也比较熟习,相对来说对场效应晶体管就陌生一点,但是,由于场效应晶体管有其共同的优点,例输入阻抗高,噪声低,热动摇性好等,在我们的运用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管
2019-03-21 16:48:50
。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部氮化镓场效应晶体管(FET)的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻…
2022-11-10 06:36:09
针对可靠的高功率和高频率电子设备,制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限,制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
`晶体三极管简称三极管,和场效应晶体管一样,具有放大作用和开关特性的,是电子设备中的核心器件之一,应用十分广泛。三极管和场效应晶体管虽然特性,外形相同,但是工作原理却大不一样,普通三极管是电流控制器
2019-03-27 11:36:30
``随着便携式电子产品浪潮的飞速发展,我们的生活便于电子产品如影随形,你可能不知道,在生产电子产品的过程中,有一种电子元件,深受电子工程师的青睐,那就是场效应晶体管,我们常接触到晶体三级管,对它
2019-03-26 11:53:04
,所以正确选择场效应晶体管是硬件工程师经常遇到的难题之一,更是极其重要的一个环节,场效应晶体管的选择,有可能直接影响到整个电路的效率和成本,下面为方便电子工程师快速准确的选择场效应晶体管,可以从以下
2019-04-02 11:32:36
`在传统MOSFET中,载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是带间隧穿
2018-10-19 11:08:33
功率场效应晶体管MOSFET摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。关键词:MOSFET 结
2008-08-12 08:42:03224 场效应晶体管的分类及使用
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
2010-01-13 16:01:59133 场效应晶体管放大电路的动态分析
共源组态基本放大电路的动态分析
共漏组态基本放大电路的动态分析
2010-09-25 16:21:2574 MOS场效应晶体管使用注意事项: MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下
2009-03-11 22:22:50918
双极型场效应晶体管电缆驱动器电路图
2009-03-30 08:39:31888
结型场效应晶体管采样与保持电路图
2009-04-09 09:28:07733
场效应晶体管电压表电路图
2009-04-15 09:24:03801 功率场效应晶体管(MOSFET)原理
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小
2009-04-25 16:05:109126 场效应晶体管
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即
2009-05-24 23:11:156579
VMOS功率场效应晶体管光敏继电器电子图
2009-06-03 15:44:35549 场效应晶体管气敏差分电路图
2009-06-08 09:43:22743 场效应晶体管TVS保护电路图
2009-06-08 14:53:551064
新型高耐压功率场效应晶体管
摘要:分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾,介绍了内建横向电场的高压MOSFE
2009-07-16 09:01:321457 MOS场效应晶体管高阻抗偏置方法
该N沟道MOS场效应
2009-09-05 15:17:18839 结型场效应晶体管(JFET)电压表
这个非常简单的
2009-09-24 14:45:47835 结型场效应晶体管是什么?
结型场效应晶体管 利用场效应原理工作的晶体管,简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,
2010-03-04 15:58:133672 绝缘栅场效应晶体管长延时电路图
2010-03-30 14:45:531496 光电池-VMOS功率场效应晶体管光敏继电器电路图
2010-03-31 17:15:501312 场效应晶体管放大器
场效应晶体管放大器是电压控制器件,具有输入阻抗高、噪声低的优点,被广泛应
2010-04-16 10:08:574970 场效应晶体管开关电路
场效应晶体管(简称场效应管)有结型(J-FET)和绝缘栅型(MOS-FET)两类。
场效应管作为开关器件应用类似
2010-05-24 15:26:0611673 美国国家半导体公司今天宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器
2011-06-23 09:34:581651 电子专业单片机相关知识学习教材资料——场效应晶体管介绍
2016-08-22 16:18:030 电子专业单片机相关知识学习教材资料——场效应晶体管的分类及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率场效应晶体管及其应用
2017-09-21 11:21:2429 本文从基本结构、工作原理、应用研究三个方面介绍了有机场效应晶体管。
2018-01-03 14:20:4424660 隧穿场效应晶体管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是带间隧穿(Band-to-band tunneling或者BTBT)。
2018-01-03 15:32:4527183 随着电子设备升级换代的速度,大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高,在某些电子设备的电路设计与研发中,不仅是开关电源电路中,也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——场效应晶体管
2019-08-18 10:07:525087 功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
2019-10-11 10:26:319865 MOSFET的类型很多,按导电沟道可分为P沟道和N沟道;根据栅极电压与导电沟道出现的关系可分为耗尽型和增强型。功率场效应晶体管一般为N沟道增强型。
2019-10-11 10:33:297965 功率场效应晶体管(VF)又称VMOS场效应管。在实际应用中,它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926489 一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写,称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。 场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场
2020-03-23 11:03:188779 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
2020-07-02 17:19:0520 场效应晶体管根据其结构的不同分类,体管(金属氧化物半导体型)两大类。可分为以下5种。可分为结型场效应晶体管与绝缘栅型场效应晶体管。
2020-09-18 14:08:447386 结型场效应晶体管原理与应用。
2021-03-19 16:11:1727 场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件,并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电,所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是Field Effect Transistor,缩写为FET。
2023-05-16 15:02:23698 场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应),使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
2023-05-16 15:14:081512 场效应晶体管是电压控制元件,因此和普通双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点,这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041372 场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比,场效应晶体管的控制电流非常小,因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
2023-05-17 15:15:374166 功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类:直流参数、交流参数和极限参数。
2023-07-05 14:57:19336 Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管,共将分为(上)(下)两期,包含其工艺、性能优势、产品及封装等内容。本期将先介绍 Nexperia(安世半导体)氮化镓产品的成熟的工艺。
2023-09-25 08:19:00395 场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。场效应晶体管的工作原理是基于电场效应,即在栅极和源极之间施加一个控制电压,使得沟道区域的载流子发生漂移,从而改变电流的导通状态。
2023-09-28 17:10:46800 选择场效应晶体管的六大诀窍
2023-12-05 15:51:38168 【科普小贴士】什么是结型场效应晶体管(JFET)
2023-12-13 14:36:44354 场效应晶体管栅极电流是多大 场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)是一种基于电场控制的电子器件,常用于放大、开关和调制等电子电路中。在FET中,栅极电流是其关键特性
2023-12-08 10:27:08655 场效应晶体管是一种常用的半导体器件,用于控制电流的流动。
2024-02-22 18:16:54833
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