电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET

ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

ROHM针对这些挑战,于2019年开始开发内置高耐压、低损耗SiC MOSFET的插装型AC/DC转换器IC,并一直致力于开发出能够更大程度地发挥SiC功率半导体性能的IC,在行业中处于先进地位。
2021-06-20 10:58:48961

ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案,不仅专注于行业先进SiC功率元器件,还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发
2021-07-08 16:31:581605

罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势

罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET,是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品。
2022-03-09 09:33:582652

MOSFET的高速trrSJ-MOSFET:PrestoMOS

系列为例,介绍trr的高速化带来的优势。高速trr SJ-MOSFET: PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、通电阻栅极总电荷量特征、且进一步实现了
2018-11-28 14:27:08

ROHM 栅极驱动电压MOSFET

有助于在应用程序中节省空间。 这些MOSFET具有出色的高速开关和通电阻。查看详情<<<特性:RDS(on)降低功耗;低压驱动;提供大电流Vds-漏源极
2021-02-02 09:55:16

ROHM开发出12W级额定功率的0.85mm业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载和工业设备中的大功率应用,开发出12W级额定功率的业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”。另外,ROHM针对已在15W级额定功率产品中达到
2023-03-14 16:13:38

ROHM功率元器件助力物联网和工业设备

元器件则是可显著减少功率转换时损耗的关键器件。一直以来都在SiC功率器件领域处于业界领先地位的ROHM,展示的"全SiC"功率模块是一款具有高速开关、开关损耗、高速 恢复、消除寄生
2019-04-12 05:03:38

ROHM功率元器件让"工业设备"更节能

元器件则是可显著减少功率转换时损耗的关键器件。一直以来都在SiC功率器件领域处于业界领先地位的ROHM,展示的"全SiC"功率模块是一款具有高速开关、开关损耗、高速 恢复、消除寄生
2019-07-11 04:17:44

ROHM功率元器件让"工业设备"更节能

元器件则是可显著减少功率转换时损耗的关键器件。一直以来都在SiC功率器件领域处于业界领先地位的ROHM,展示的"全SiC"功率模块是一款具有高速开关、开关损耗、高速 恢复、消除寄生
2019-07-15 04:20:14

ROHM新品 | 适用于工业设备和基站电机的新一双极MOSFET

。此外,为了进一步提高电机的效率并减小尺寸,对于MOSFET还提出了更低通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下,ROHM继2020年年底发布的新一Pch MOSFET*2之后,此次又开发出在Nch
2021-07-14 15:17:34

ROHMSiC MOSFETSiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFETSiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

ROHMSiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业 Murata Power Solutions的数据中心电源模块

色,VF值更低。<支持信息>ROHM在官网特设网页中,介绍了SiC MOSFETSiC SBD和SiC功率模块等SiC功率元器件的概况,同时,还发布了用于快速评估和引入4SiC MOSFET的各种支持
2023-03-02 14:24:46

SIC MOSFET

有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

电阻,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高通电阻的特性。下图表示SiC-MOSFET通电阻与Vgs的关系。通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近
2018-11-30 11:34:24

SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较

通电阻方面的课题,如前所述通过采用SJ-MOSFET结构来改善通电阻。IGBT在通电阻和耐压方面表现优异,但存在开关速度方面的课题。SiC-DMOS在耐压、通电阻、开关速度方面表现都很优异
2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件结构和特征

,与Si-MOSFET不同,SiC-MOSFET的上升率比较低,因此易于热设计,且高温下的通电阻也很低。  4. 驱动门极电压和通电阻  SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET,但是
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么优点

设计,且高温下的通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果,仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET,但是
2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的可靠性

问题。(※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题)ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺,成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二SiC MOSFET产品中,实施了
2018-11-30 11:30:41

SiC-MOSFET的应用实例

,但由于第三(3G)SiC-MOSFET通电阻更低,晶体管数得以从8个减少到4个。关于效率,采用第三(3G)SiC-MOSFET时的结果最理想,无论哪种SiC-MOSFET的效率均超过Si IGBT
2018-11-27 16:38:39

SiC MOSFET SCT3030KL解决方案

专门的沟槽式栅极结构(即栅极是在芯片表面构建的一个凹槽的侧壁上成形的),与平面式SiC MOSFET产品相比,输入电容减小了35%,通电阻减小了50%,性能更优异。图4 SCT3030KL的内部电路
2019-07-09 04:20:19

SiC MOSFET的器件演变与技术优势

] 许可再现,显示了截至2016年7月各供应商的SiC MOSFET活动现状。商业上可用的部件已经从Wolfspeed,ROHM,ST Microelectronics和Microsemi发布; 社区
2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET:经济高效且可靠的高功率解决方案

R-UIS压力测试循环后,在关键电气性能(如通电阻,阈值电压,击穿电压和漏极漏电流)上无法观察到参数偏移。也可以通过模拟获得相关信息。图5显示了对MOSFET 施加1600V 的V DS所进行的模拟
2019-07-30 15:15:17

SiC SBD的器件结构和特征

设计得,开启电压也可以做得一些,但是这也将导致反向偏压时的漏电流增大。ROHM的第二SBD通过改进制造工艺,成功地使漏电流和恢复性能保持与旧产品相等,而开启电压降低了约0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

的新一产品。ROHM开发2系列产品。ROHM1产品及其他公司类似产品的VF当IF=10A时为1.5V,而2产品的VF至1.35V。下图是参考值,是25℃和125℃时的IF vs VF
2018-11-30 11:52:08

SiC-SBD的发展历程

,提前了解各产品的具体不同之处,有助于缩短设计时间。SiC-SBD的发展ROHMSiC-SBD目前2是主流产品,已经实现近50种机型的量产销售。下图是13的正向电压与电流特性(VF
2018-11-30 11:51:17

SiC功率元器件的开发背景和优点

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23

SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

设计,且高温下的通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果,仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET,但是
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

载流子器件(肖特基势垒二极管和MOSFET)去实现高耐压,从而同时实现 "高耐压"、"通电阻"、"高频" 这三个特性。另外,带隙较宽,是Si的3倍,因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。
2019-07-23 04:20:21

SiC功率模块的栅极驱动其1

误导通的话,将有可能发生在高边-边间流过直通电流(Flow-through Current)等问题。这种现象是SiC-MOSFET的特性之一–非常快速的开关引起的。边栅极电压升高是由切换到高边
2018-11-30 11:31:17

SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停

ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管(以下SiC SBD)的第三产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二SiC SBD实现的当时业界最小正向电压,并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02

通电阻和Qg更低,有助于实现更低功耗

降低损耗”为目标开发而成的。一般而言,通电阻和Qg存在权衡关系,但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势,实现了两者的高度平衡。※PrestoMOS是ROHM的商标。开关损耗和传导损耗更低
2018-12-04 10:23:36

EN系列可保持通电阻与开关速度,改善噪声性能

MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且通电阻
2018-12-05 10:00:15

Fairchild二通道单刀双掷,通电阻的音频开关

本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 编辑 高性能音频和增强了的噪音抑制性能Fairchild二通道单刀双掷,通电阻的音频开关已经开发了通过减少音频爆破音的可能性来加强语音体验。它们包括了最近的特性,具体地说是拥有终端电阻,提供缓慢开启时间和允许负电压信号的能力。
2011-03-02 23:11:29

GaN和SiC区别

通电阻大大降低。在25°C至150°C的温度范围内,SiC的变化范围为20%,而Si的变化范围为200%至300%.SiC MOSFET管芯能够在200°C以上的结温下工作。该技术还得益于固有的
2022-08-12 09:42:07

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

/>【正文快照】:IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅
2010-05-06 08:55:20

SJ MOSFET的效率改善和小型化

公司也有生产,但是ROHM在推进独自开发。此次内置的SJ MOSFET不仅实现了650V的高耐压,还实现了通电阻栅极电荷,开关速度也非常快。这将大大改善开关即MOSFET通损耗与开关损耗。这
2019-04-29 01:41:22

Si-MOSFET与IGBT的区别

。另外,这里提供的数据是在ROHM试验环境下的结果。驱动电路等条件不同,结果也可能不同。关键要点:・SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面,通电阻特性的变化呈直线型,因此在电流范围优于IGBT。・SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26

【2018ROHM科技展】:4大应用领域+6场技术研讨会,邀您免费参与赢超级大礼!(总价值超过10000元)

Booster技术,面向车载的DC/DC转换器04 24V输入,内置MOSFET的降压型开关稳压器BD9E100FJ-LB是内置通电阻的功率MOSFET的同步整流降压型开关稳压器。输入电压范围广
2018-10-17 16:16:17

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】基于SIC-MOSFET评估板的开环控制同步BUCK转换器

40mR通电阻Ron的SIC-MOSFET来说,17A的电流发热量还是挺大,在实际应用中需要加强散热才可以。不过,1200V的SIC-MOSFET并不适合做低压大电流的应用,这里才是48V的测试,属于
2020-06-10 11:04:53

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】特种电源开发

项目名称:特种电源开发试用计划:在I项目开发中,有一个关键电源,需要在有限空间,实现高压、大电流脉冲输出。对开关器件的开关特性和通电阻都有严格要求。随着SIC产品的技术成熟度越来越高,计划把IGBT开关器件换成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】罗姆第三沟槽栅型SiC-MOSFET(之一)

导电沟道越大,则通电阻越小;但是栅极驱动电压太大的话,很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿,造成Mosfet管的永久失效;3.为了增加开关管的速度,减少开关管的关断时间是有必要的;且为了提高Mosfet
2020-07-16 14:55:31

为何使用 SiC MOSFET

状态之间转换,并且具有更低的通电阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的通电阻(图 1)。图 1:SiC MOSFET(右侧)与硅
2017-12-18 13:58:36

使用SiC-SBD的优势

应用,实际上已经在HV/EV/PHV的板上充电电路中采用并发挥着SiC-SBD的优势。关键要点:・ROHMSiC-SBD已经发展到3。・3产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到改善,并进一步降低了2达成的VF。< 相关产品信息 >SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47

SiC功率模块介绍

:・全SiC功率模块由ROHM自主生产的SiC-MOSFETSiC-SBD组成。・与Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。・全SiC功率模块正在不断进化,最新产品搭载了最新的第三SiC-MOSFET
2018-11-27 16:38:04

SiC功率模块使逆变器重量减少6kg、尺寸减少43%

减少了19%的体积,并减重2kg。 从4赛季开始,ROHM将为文图瑞车队提供将SiC-MOSFETSiC-SBD模块化的全SiC功率模块,与搭载SiC-SBD的3赛季逆变器相比,实现了30
2018-12-04 10:24:29

SiC功率模块的开关损耗

SiC-MOSFETSiC肖特基势垒二极管的相关内容,有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三SiC沟槽MOSFET,开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30

具备通电阻的单通道限流高侧开关IC

、BD82054QVZ以及BD82055QVZ)。这几款单通道高侧开关IC采用N沟道功率MOSFET,具备通电阻(典型值63mΩ,VIN=5V),输入电压范围2.7V~5.5V,非常适用于通用串行总线(USB
2019-04-10 06:20:03

内置高耐压低通电阻MOSFET的降压型1ch DC/DC转换器

需要具备非常先进的技术能力才能实现。此外,内置MOSFET通电阻很低,仅为150mΩ,有利于提高效率。  BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边
2018-10-19 16:47:06

内置高耐压低通电阻MOSFET的降压型1chDC/DC转换器

非常先进的技术能力才能实现。此外,内置MOSFET通电阻很低,仅为150mΩ,有利于提高效率。BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边MOSFET为内置
2018-12-04 10:10:43

反激式转换器与SiC用AC/DC转换器控制IC组合显著提高效率

1700V高耐压,还是充分发挥SiC的特性使通电阻大幅降低的MOSFET。此外,与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合,还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件,还促进充分发挥
2018-12-04 10:11:25

同时具备MOSFET和IGBT优势的HybridMOS

系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET(以下简称“SJ MOSFET”)的高速开关和电流时的通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36

如何使用电流源极驱动器BM60059FV-C驱动SiC MOSFET和IGBT?

在开启时提供此功能。实验验证表明,在高负载范围和开关速度(《5V/ns)下,SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比,通损耗降低了26%。在电机驱动器等应用中,dv/dt 通常限制为 5V/ns,电流源驱动器可提高效率并提供有前途的解决方案。
2023-02-21 16:36:47

实现工业设备的辅助电源应用要求的高耐压与低损耗

1700V高耐压,还是充分发挥SiC的特性使通电阻大幅降低的MOSFET。此外,与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合,还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件,还促进充分发挥
2018-12-05 10:01:25

小型大功率封装MOSFET MPT6适合汽车应用

独创的小型大功率封装,是通电阻的元器件。这种产品从2007年4月开始逐步供应样品;预定从2007年8月开始以月产300万个的规模大量生产。生产过程的芯片工序在ROHM筑波株式会社(茨城县)进行;包装
2018-08-24 16:56:26

开关损耗更低,频率更高,应用设备体积更小的全SiC功率模块

ROHM生产的SiC-MOSFETSiC-SBD组成的“全SiC”功率模块 重点必看采用3SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容< 相关产品信息 >全SiC功率模块SiC-MOSFETSiC-SBDIGBTFRD
2018-12-04 10:14:32

开关的通电阻对传递函数的影响

”这个参数的影响。下面以“升降压转换器的传递函数导出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降压转换器为基础,按照同样步骤来推导。右侧电路图在上次给出的升降压转换器简图上标出了作为开关的MOSFET通电阻
2018-11-30 11:48:22

搭载SiC-MOSFETSiC-SBD的功率模块

1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFETSiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18

沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用,在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低通电阻也备受关注。然而,普通的单
2018-12-05 10:04:41

浅析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入,但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05

浅析降低高压MOS管通电阻的原理与方法

如何将阻断高电压的掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、电阻率分开解决。如除通时掺杂的高耐压外延层对通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样,是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现,而在MOS
2018-11-01 15:01:12

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项

测试,并观察波形。在双脉冲测试电路的高边(HS)和边(LS)安装ROHMSiC MOSFET SCT3040KR,并使HS开关、LS始终OFF(栅极电压=0V)。图1所示的延长电缆已经直接焊接
2022-09-20 08:00:00

用于PFC的碳化硅MOSFET介绍

的应用优势优于 IGBT。考虑到所有开关损耗、通电阻相关传导损耗和内部二极管的正向电压损耗,基于 SiC MOSFET 的设计比基于 IGBT 的同类设计可节省约 66% 的损耗(图 2)。这种效率改进为
2023-02-22 16:34:53

碳化硅SiC MOSFET:通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低通电阻
2023-04-11 15:29:18

碳化硅SiC技术导入应用的最大痛点

具有明显的优势。UnitedSiC的1200V和650V器件除了通电阻,还利用了内感和热阻的SiC性能。  1200V和650V第三器件的通电阻值比较  Anup Bhalla说,碳化硅的优点
2023-02-27 14:28:47

第三半导体材料盛行,GaN与SiC如何撬动新型功率器件

的一种最具有优势的半导体材料.并且具有远大于Si材料的功率器件品质因子。SiC功率器件的研发始于20世纪90年.目前已成为新型功率半导体器件研究开发的主流。2004年SiC功率MOSFET不仅在高
2017-06-16 10:37:22

罗姆SiC-SBD替代Si-PND/Si-FRD有什么优势

本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品,并探讨SiC-SBD的优势。ROHMSiC-SBD已经发展到33产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到
2019-07-10 04:20:13

罗姆成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装

本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出耐压高达1200V的2SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12

罗姆新品|低噪声,通电阻,600V 超级结MOSFET PrestoMOS “R60xxJNx系列”

低功耗的、以极快的反向恢复时间(trr)为特点的ROHM独创的功率MOSFET。<提高设计灵活度的关键>开关速度的高速化与误开启现象、噪声干扰是相悖的,用户在电路设计时需要通过调整栅极电阻来进行优化
2020-03-12 10:08:31

罗姆新品|低噪声,通电阻,600V 超级结MOSFET PrestoMOS “R60xxJNx系列”

低功耗的、以极快的反向恢复时间(trr)为特点的ROHM独创的功率MOSFET。<提高设计灵活度的关键>开关速度的高速化与误开启现象、噪声干扰是相悖的,用户在电路设计时需要通过调整栅极电阻来进行优化
2020-03-12 10:08:47

设计中使用的电源IC:专为SiC-MOSFET优化

使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET:SCT2H12NZ(右)的通电阻与VGS特性比较图。从比较图中可以看出,上述IC的栅极驱动电压在每种MOSFET将要饱和前变为VGS。由于该比较不是
2018-11-27 16:54:24

超级结MOSFET

,Si-MOSFET在这个比较中,通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET,但在~中功率条件下,高速工作表现更佳。平面MOSFET与超级结MOSFETSi-MOSFET根据制造工艺可分为平面
2018-11-28 14:28:53

采用3SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容

。与此同时,SiC模块也已开发出采用3SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用3SiC-MOSFET而促进实现更低通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50

降低高压MOSFET通电阻的原理与方法

通损耗占MOSFET总损耗的2/3-4/5,使应用受到极大限制。  降低高压MOSFET通电阻的原理与方法  1、不同耐压的MOSFET通电阻分布  不同耐压的MOSFET,其通电阻中各部分电阻
2023-02-27 11:52:38

高耐压超级结MOSFET的种类与特征

%。特性方面的定位是标准特性。低噪声SJ-MOSFET:EN系列SJ-MOSFET具有“通电阻,开关速度快”的特征,但存在其高速性导致噪声比平面型大的课题。为改善这个问题开发了EN系列。该系列产品融合了
2018-12-03 14:27:05

世界首发!ROHM开发出SiC驱动用AC/DC转换器控制IC

全球知名半导体制造商ROHM开发出在大功率(高电压×大电流)逆变器和伺服等工业设备中日益广泛应用的SiC-MOSFET驱动用AC/DC转换器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2015-04-10 09:53:192624

世界首家!ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

世界首家!ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化
2015-06-25 14:26:461974

业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ

SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。
2015-09-07 09:29:311923

ROHM开发出实现业界最低※VF与高抗浪涌电流的SiC肖特基势垒二极管“SCS3系列”

  全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管(以下称“SiC-SBD”) “SCS3系列”。
2016-05-10 14:25:511839

ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
2019-09-24 14:39:281964

SiC MOSFET是具有低导通电阻和紧凑的芯片

安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 (SiCMOSFET,它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外,该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:403728

ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,单位面积的导通电阻降低了约40%

Charger:OBC)等领域拥有很高的市场份额。此次,导通电阻和短路耐受时间之间取得更好权衡的第4代SiC MOSFET的推出,除现有市场之外,还将加速在以主机逆变器为主的市场中的应用。
2020-06-19 14:21:074199

ROHM开发出第4代SiC MOSFET实现了业界先进的低导通电阻

ROHM于2015年世界上第一家成功地实现了沟槽结构SiC MOSFET的量产,并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754

SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装

ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列产品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的沟槽栅极结构,进一步降低了导通电阻;同时通过采用单独设置栅极驱动器
2020-11-25 10:56:0030

ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET

ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET
2021-11-30 14:48:02748

罗姆半导体开发出新型碳化硅功率元器件第4代SiC MOSFET

功率元器件——第4代SiC MOSFET。 罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET,是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品,目前不仅可供应裸芯片,还可供应分立封装的产品。该产品有助于实现车载逆变器和各种开关电源
2022-03-19 11:12:212089

东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET

)(统称“东芝”)已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状(方格状嵌入式SBD),以实现低导通电阻和高可靠性。东芝
2022-12-12 18:01:531070

ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626

第三代双沟槽结构SiC-MOSFET介绍

SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用,在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381

ROHM SiC-MOSFET的可靠性试验

本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHMSiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外,包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异,如果有不明之处或希望确认现在的产品情况,请点击这里联系我们。
2023-02-08 13:43:21860

搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333

SiC MOSFETSiC IGBT的区别

  在SiC MOSFET开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102

SiC FET导通电阻随温度变化

比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势,但与UnitedSiC FET相比,这表明潜在的损耗更高,整体效率低下。
2023-02-21 09:24:56592

沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET
2023-02-24 11:48:18426

SiC-MOSFET的可靠性

ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜,通过工艺开发和元器件结构优化,实现了与Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784

ROHMSiC MOSFETSiC SBD成功应用于APEX Microtechnology的工业设备功率模块系列

ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

ROHM开发具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装,实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻(Ron)*2,相比以往产品,导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215

罗姆ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08244

昕感科技推出超低导通电阻SiC MOSFET器件

近日,昕感科技在新能源领域取得重大突破,推出了一款具有业界领先超低导通电阻SiC MOSFET器件新产品(N2M120007PP0)。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ,电压规格为1200V,将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316

已全部加载完成