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电子发烧友网>模拟技术>富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品

富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品

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富士通半导体成功推出拥有1 Mb内存、业界最小尺寸的FRAM器件

富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP),使得其体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm,一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件
2015-07-08 15:03:571568

富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

上海, 2016-11-08——富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1)产品MB85AS4MT。此产品富士通半导体与松下电器半导体(注2)合作开发的首款ReRAM存储器产品
2017-03-24 18:03:201539

富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM,是穿戴式装置与助听器的绝佳选择

富士通电子元器件(上海)有限公司推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1)产品 MB85AS4MT。此产品富士通半导体与松下电器半导体(注2)合作开发的首款ReRAM存储器产品
2017-03-24 18:48:431375

富士通FRAM产品特性介绍(视频)

本视频主要内容:介绍了富士通半导体的FRAM产品特性:低功耗,快速读写,高读写次数和防辐射特性。
2017-03-29 11:34:27951

安森美半导体宣布富士通8英寸晶圆厂的递增20%股权收购

美商安森美半导体(ON Semiconductor)与富士通半导体株式会社(Aizu Fujitsu Semiconductor Manufacturing Limited)于10月1日共同宣布
2018-10-08 15:00:004265

安森美半导体收购富士通8吋晶圆厂股权

关键词:安森美 , 富士通 来源:中时电子报 安森美半导体公司与富士通半导体株式会社宣布,安森美半导体已经完成对富士通半导体制造株式会社(Aizu Fujitsu Semiconductor
2018-10-08 14:26:02385

联电购买联电与日本富士通半导体所合资的12吋晶圆厂

联电财务长刘启东表示,联电于2014年参与日本三重富士通半导体增资、并取得15.9%股权及1席董事,并由联电授权40纳米技术。不过,由于该投资的闭锁期规定为2.5年,双方在去年中开始密切接触,最终决议联电将百分百收购日本三重富士通半导体股权,取得12吋晶圆厂产能。
2018-12-27 17:53:169859

意法半导体推出氮化镓(GaN)功率半导体新系列

意法半导体(简称ST)推出了一个新系列——氮化镓(GaN)功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER产品组合,能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。该系列的目标应用包括消费类电子产品的内置
2022-01-17 14:22:542180

ROHM确立150V耐压GaN器件量产体制 Danfoss在中国量产电机

  全球知名半导体制造商ROHM已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列 (GNE1040TB)”的量产体制,该系列产品的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2高达8V,非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。
2022-03-28 15:25:301290

富士通推出12Mbit电阻式随机存取存储器MB85AS12MT

富士通半导体存储器解决方案有限公司推出12Mbit ReRAM(电阻式随机存取存储器)MB85AS12MT,这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品
2022-04-24 16:06:021133

ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极

150V耐压GaNHEMT*1(以下简称"GaN器件")的高达8V栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2技术。近几年来,随着IoT设备需求的不断增长,功率转换效率的提
2021-04-09 10:07:47514

安世推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET GAN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的 E-mode(增强型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500

美格纳发布第8代150V MXT MV MOSFET

美格纳半导体公司 宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。MXT MV MOSFET,代表美格纳极限沟槽
2023-10-12 17:15:09736

垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体

使用GaN(氮化镓)的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术,解决了导致其全面推广的问题。
2023-10-20 09:59:40709

安世半导体宣布推出新款GaN FET器件

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312

安建半导体推出全新150V SGT MOSFET产品平台

安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台,平台采用先进的技术和设计,提供了卓越的开关特性和低导通电阻,从而实现了高效的能源转换和低能耗操作,不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49293

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