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苹果新型背光键盘刻蚀工艺

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关于刻蚀的重要参数报告

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刻蚀工艺基础知识简析

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湿法刻蚀工艺的流程包括哪些?

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半导体刻蚀工艺简述(1)

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半导体刻蚀工艺简述(2)

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半导体刻蚀工艺简述(3)

对于湿法刻蚀,大部分刻蚀的终点都取决于时间,而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法,所以通常由操作员目测终点。湿法刻蚀速率很容易受刻蚀剂温度与浓度的影响,这种影响对不同工作站和不同批量均有差异,因此单独用时间决定刻蚀终点很困难,一般釆用操作员目测的方式。
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单晶硅刻蚀工艺流程

FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作,这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺,如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:182258

半导体行业之刻蚀工艺技术

DRAM栅工艺中,在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层,然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
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半导体行业之刻蚀工艺介绍

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半导体行业之刻蚀工艺介绍

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半导体图案化工艺流程之刻蚀简析

图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
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重点阐述湿法刻蚀

光刻工艺后,在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形,下一步就是刻蚀
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半导体前端工艺刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形

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2023-06-15 17:51:571058

半导体图案化工艺流程之刻蚀(一)

图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中,刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺的下一步,用于去除光刻胶(Photo Resist
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干法刻蚀工艺介绍 硅的深沟槽干法刻蚀工艺方法

第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH),即多次交替循环刻蚀和淀积工艺刻蚀工艺使用的是SF6气体,淀积工艺使用的是C4F8气体
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2023-08-17 15:39:392366

光伏刻蚀工艺流程 光刻蚀刻加工原理是什么

刻蚀(Photolithography)是一种在微电子和光电子制造中常用的加工技术,用于制造微细结构和芯片元件。它的基本原理是利用光的化学和物理作用,通过光罩的设计和控制,将光影投射到光敏材料上,形成所需的图案。
2023-08-24 15:57:421914

干法刻蚀与湿法刻蚀各有什么利弊?

在半导体制造中,刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀,这两种技术各有优势,也各有一定的局限性,理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:002843

什么是刻蚀的选择性?刻蚀选择比怎么计算?受哪些因素的影响呢?

刻蚀(或蚀刻)是从晶圆表面去除特定区域的材料以形成相应微结构。但是,在目标材料被刻蚀时,通常伴随着其他层或掩膜的刻蚀
2023-10-07 14:19:251597

一种新型键盘与显示电路设计

电子发烧友网站提供《一种新型键盘与显示电路设计.pdf》资料免费下载
2023-10-20 11:34:370

半导体前端工艺(第四篇):刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形

半导体前端工艺(第四篇):刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26173

半导体制造技术之刻蚀工艺

W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体,并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比,加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步,第一步是快速均匀地刻掉大部分W,第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应,避免产生凹坑,并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀
2023-12-06 09:38:53779

北方华创公开“刻蚀方法和半导体工艺设备”相关专利

该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16250

InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究

在红外探测器的制造技术中,台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。
2024-01-08 10:11:01128

刻蚀终点探测进行原位测量

使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者:泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:4262

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